Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Структура npn darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 50
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 300
Корпус то-3
Вес, г 18
Полезная информация
* Составные биполярные транзисторы (DARLINGTON) средней и большой мощности
ON Semiconductor
| Тип транзистора | NPN, составной |
| Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 120 В |
| Ток коллектора Макс. | 50 А |
| Мощность Макс. | 300 Вт |
| Коэффициент усиления hFE | 1000 |
| Тип монтажа | Сквозной |
| Корпус | TO-3 |
| Вес брутто | 16.9 г. |
| Наименование | MJ11032G |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | Trans Darlington NPN 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Нормоупаковка | 100 шт |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
