Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
MJD112G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт
ON Semiconductor
| Тип транзистора | NPN, составной |
| Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 100 В |
| Ток коллектора Макс. | 2 А |
| Мощность Макс. | 1.75 Вт |
| Коэффициент усиления hFE | 1000 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Граничная частота | 25 МГц |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто | 0.67 г. |
| Наименование | MJD112G |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 75 шт |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
