Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
MJD112T4, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт
ST Microelectronics
| Тип транзистора | NPN, составной |
| Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 100 В |
| Ток коллектора Макс. | 2 А |
| Мощность Макс. | 20 Вт |
| Коэффициент усиления hFE | 1000 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Граничная частота | 25 МГц |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто | 0.54 г. |
| Наименование | MJD112T4 |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | NPN Darlington 100V 2A |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2500 шт |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
