Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
MJD117T4G, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А
Цена по запросу

MJD117T4G, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А ON Semiconductor
Тип транзистора PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс 100 В
Ток коллектора Макс. 2 А
Мощность Макс. 1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE 1000
Тип монтажа Поверхностный
Граничная частота 25 МГц
Корпус DPAK-3
Вес брутто 0.42 г.
Наименование MJD117T4G
Производитель ON Semiconductor
Описание Eng TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Тип упаковки Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка 2500 шт

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных