Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
MJD122T4, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Структура npn darlington c 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 1000…12000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1.75
Корпус dpak(to-252)
Вес, г 0.4
ST Microelectronics
| Тип транзистора | NPN, составной |
| Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 100 В |
| Ток коллектора Макс. | 8 А |
| Мощность Макс. | 20 Вт |
| Коэффициент усиления hFE | 1000 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто | 0.53 г. |
| Наименование | MJD122T4 |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | NPN Darlington 100V 8A |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2500 шт |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
