Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
MJD122T4G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 20 Вт
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 20 Вт
ON Semiconductor
| Тип транзистора | NPN, составной |
| Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 100 В |
| Ток коллектора Макс. | 8 А |
| Мощность Макс. | 1.75 Вт |
| Коэффициент усиления hFE | 1000 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Граничная частота | 4 МГц |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто | 0.66 г. |
| Наименование | MJD122T4G |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | NPN Darlington 100V 5A 20W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2500 шт |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
