Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, 20Вт
Цена по запросу

MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, 20Вт

The MJD45H11T4G is a 8A PNP bipolar Power Transistor designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. • Electrically similar to popular D44H/D45H series • Fast switching speeds • Complementary pairs simplifies designs • AEC-Q101 qualified and PPAP capable Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 90 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1.75 Корпус dpak(to-252) Вес, г 0.4 ON Semiconductor
Тип транзистора PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс 80 В
Ток коллектора Макс. 8 А
Мощность Макс. 1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE 40
Тип монтажа Поверхностный
Граничная частота 90 МГц
Вес брутто 0.47 г.
Наименование MJD45H11T4G
Производитель ON Semiconductor
Описание Eng Trans GP BJT PNP 80V 8A
Тип упаковки Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка 2500 шт

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных