Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
MJE15035G, Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 4 А, 50  Вт
Цена по запросу

MJE15035G, Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 4 А, 50 Вт

Корпус TO-220-3, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 350 В, Ток коллектора 4 А, Коэффициент усиления по току, min 100 Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 350 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 350 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 2 Корпус to-220 Вес, г 2.5 ON Semiconductor
Тип транзистора PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс 350 В
Ток коллектора Макс. 4 А
Мощность Макс. 2 Вт
Коэффициент усиления hFE 10
Тип монтажа Сквозной
Граничная частота 30 МГц
Корпус TO-220AB
Вес брутто 2.65 г.
Наименование MJE15035G
Производитель ON Semiconductor
Описание Eng PNP 350V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 50 шт

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных