Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
MJE15035G, Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 4 А, 50 Вт
Корпус TO-220-3, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 350 В, Ток коллектора 4 А, Коэффициент усиления по току, min 100
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 350
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 350
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 2
Корпус to-220
Вес, г 2.5
ON Semiconductor
Тип транзистора | PNP |
Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 350 В |
Ток коллектора Макс. | 4 А |
Мощность Макс. | 2 Вт |
Коэффициент усиления hFE | 10 |
Тип монтажа | Сквозной |
Граничная частота | 30 МГц |
Корпус | TO-220AB |
Вес брутто | 2.65 г. |
Наименование | MJE15035G |
Производитель | ON Semiconductor |
Описание Eng | PNP 350V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Тип упаковки | Tube (туба) |
Нормоупаковка | 50 шт |