Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
MJE800G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 4 А
The MJE800G is a 4A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
• Complementary device
• Monolithic construction with built-in base-emitter resistors to limit leakage multiplication
Структура npn darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 40
Корпус to-126
Вес, г 0.9
ON Semiconductor
| Тип транзистора | NPN, составной |
| Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 60 В |
| Ток коллектора Макс. | 4 А |
| Мощность Макс. | 40 Вт |
| Коэффициент усиления hFE | 750 |
| Тип монтажа | Сквозной |
| Корпус | TO-225AA |
| Вес брутто | 0.779 г. |
| Наименование | MJE800G |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Нормоупаковка | 500 шт. |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
