Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
MMBT2222A,215, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTORS
Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: NPN, биполярный, 40В, 0,6А, 250мВт, SOT23 Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
биполярный
Вид
NPN
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 3 mm |
Другие названия товара № | MMBT2222A T/R |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | TO-236AB-3 |
Ширина | 1.4 mm |
кол-во в упаковке | 3000 |
Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
Maximum Collector Base Voltage | 75 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
Maximum DC Collector Current | 600 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 250 mW |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23(TO-236AB) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |