Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
The MMBT5551LT1G is an NPN Silicon High Voltage Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.
• Halogen-free
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.225
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
Полезная информация
* ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
ON Semiconductor
| Тип транзистора | NPN |
| Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 160 В |
| Ток коллектора Макс. | 600 мА |
| Мощность Макс. | 225 мВт |
| Коэффициент усиления hFE | 80 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус | SOT-23 |
| Вес брутто | 0.05 г. |
| Наименование | MMBT5551LT1G |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | NPN 160V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
