Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
MMBTA06LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, 0.225Вт
The MMBTA06LT1G is a 80V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications.
• Halogen-free/BFR-free
• 80VDC Collector to base voltage (VCBO)
• 4VDC Emitter to base voltage (VEBO)
• 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.225
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
ON Semiconductor
| Тип транзистора | NPN |
| Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 80 В |
| Ток коллектора Макс. | 500 мА |
| Мощность Макс. | 225 мВт |
| Коэффициент усиления hFE | 100 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Граничная частота | 100 МГц |
| Корпус | SOT-23 |
| Вес брутто | 0.03 г. |
| Наименование | MMBTA06LT1G |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | NPN 80V 0.5A |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
