Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
MMBTA42,215, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTORS
Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: NPN, биполярный, 300В, 0,1А, 250мВт, SOT23 Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
биполярный
Вид
NPN
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 300V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@2mA, 20mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 40@30mA, 10V |
| Power Dissipation (Pd) | 250mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 50MHz |
| Maximum Collector Base Voltage | 300 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 300 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Minimum DC Current Gain | 25 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23(TO-236AB) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
