Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
MMBTA56LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А, 0.225Вт
Цена по запросу

MMBTA56LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А, 0.225Вт

The MMBTA56LT1G is a PNP Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in a package which is designed for lower power surface-mount applications. • Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life • Saves board space • AEC-Q101 qualified and PPAP capable Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 50 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.225 Корпус sot-23 Вес, г 0.05 ON Semiconductor
Тип транзистора PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс 80 В
Ток коллектора Макс. 500 мА
Мощность Макс. 225 мВт
Коэффициент усиления hFE 100
Тип монтажа Поверхностный
Граничная частота 50 МГц
Корпус SOT-23 (TO-236AB)
Вес брутто 0.03 г.
Наименование MMBTA56LT1G
Производитель ON Semiconductor
Описание Eng TRANS PNP 80V 0.5A SOT23
Тип упаковки Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка 3000 шт

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных