Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
MMBTA92,215, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTORS
Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: PNP, биполярный, 300В, 0,1А, 250мВт, SOT23 Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
биполярный
Вид
PNP
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3 mm |
| Другие названия товара № | MMBTA92 T/R |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 1 mA at 10 V, 40 at 10 mA at 10 V, 25 at 30 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 25 at 1 mA at 10 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 300 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 300 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | TO-236AB-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Base Product Number | MMBTA92 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 250nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 30mA, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power - Max | 250mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
| Maximum Collector Base Voltage | -300 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 300 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Minimum DC Current Gain | 40 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
