Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
MMUN2111LT1G, Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм
Цена по запросу

MMUN2111LT1G, Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм

The MMUN2111LT1G is a PNP Bipolar Digital Transistor designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. • Simplifies circuit design • Reduces board space • Reduces component count Структура pnp с 2 резисторами Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 35 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.246 Корпус sot-23 Вес, г 0.05 ON Semiconductor
Тип транзистора PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс. 50V
Мощность Макс. 246mW
Сопротивление резистора базы R1 10k
Сопротивление резистора Э-База R2 10k
Корпус SOT-23
Вес брутто 0.03 г.
Наименование MMUN2111LT1G
Производитель ON Semiconductor
Описание Eng PNP R1=10 KOm; R2=10 KOm
Тип упаковки Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка 3000 шт

Похожие товары