Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
MUN5211DW1T1G, Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм
Dual Resistor Dual Digital Transistors, ON Semiconductor
Структура 2 X npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0,1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0,25
Корпус SOT-363
Вес, г 0.04
ON Semiconductor
Тип транзистора | 2 NPN |
Напряжение КЭ Макс. | 50 В |
Мощность Макс. | 250 мВт |
Сопротивление резистора базы R1 | 10 кОм |
Сопротивление резистора Э-База R2 | 10 кОм |
Корпус | SOT363-6 |
Вес брутто | 0.03 г. |
Наименование | MUN5211DW1T1G |
Производитель | ON Semiconductor |
Описание Eng | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 |
Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
Нормоупаковка | 3000 шт |
Похожие товары

BCR08PNH6327, Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 170 МГц, 2.2 кОм+47 кОм
Цена по запросу