Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
NCD57090EDWR2G, SOIC-8-5.9mm Gate Drive ICs
Цена по запросу

NCD57090EDWR2G, SOIC-8-5.9mm Gate Drive ICs

NCD57090 is high-current single channel IGBT/MOSFET gate drivers with 5KVrms internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high power applications. The devices accept complementary inputs and depending on the pin configuration, offer options such as driver outputs. The driver accommodate wide range of input bias voltage and signal levels from 3.3V to 20V and they are available in wide body SOIC-8 package. Typical applications include motor control, uninterruptible power supplies (UPS), automotive applications, industrial power supplies and solar inverters. • High peak output current (+6.5A/-6.5A) • Short propagation delays with accurate matching • IGBT/MOSFET gate clamping during short circuit • IGBT/MOSFET gate active pull down • Tight UVLO thresholds for bias flexibility • 3.3V, 5V and 15V logic input, 5KVrms galvanic isolation • High transient immunity, high electromagnetic immunity
Fall Time 13ns
Output Current 6.5 A
Package Type SOIC
Pin Count 8
Supply Voltage 20V
IC Case / Package SOIC
Задержка Выхода 60нс
Задержка по Входу 60нс
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Количество Каналов 1канал(-ов)
Конфигурация Привода Неинвертирующий
Линейка Продукции NCx57090y
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальное Напряжение Питания 15В
Минимальная Рабочая Температура -65°C
Минимальное Напряжение Питания 3.3В
Тип переключателя питания IGBT, MOSFET
Ток истока 6.5А
Ток стока 6.5А
Вес, г 0.46

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных