Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
NCP5109ADR2G, Драйвер МОП-транзистора, высокой и низкой сторон, 10В - 20В питание, 500мА выход, 100нс задержка
Цена по запросу

NCP5109ADR2G, Драйвер МОП-транзистора, высокой и низкой сторон, 10В - 20В питание, 500мА выход, 100нс задержка

NCP5106 & NCP5109 High Voltage Side Drivers onsemi NCP5106 and NCP5109 High Voltage Side Drivers provide two outputs for direct drive of two N-channel power MOSFETs or Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) arranged in a half-bridge configuration. These high voltage, high, and low side drivers feature a dV/dt immunity of 50 volts per nanosecond (V/ns) and are 3.3V and 5V input logic compatible. These devices use the bootstrap technique to ensure a proper drive of the High Side power switch and provide a rugged design.
Brand onsemi
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity 2500
Fall Time 35 ns
Manufacturer onsemi
Maximum Operating Temperature +125 C
Maximum Turn-Off Delay Time 170 ns
Maximum Turn-On Delay Time 170 ns
Minimum Operating Temperature -40 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Drivers 2 Driver
Number of Outputs 2 Output
Output Current 500 mA
Package / Case SOIC-8
Product Category Gate Drivers
Product Type Gate Drivers
Product IGBT, MOSFET Gate Drivers
Rise Time 85 ns
Series NCP5109
Subcategory PMIC-Power Management ICs
Supply Voltage - Max 20 V
Supply Voltage - Min -300 mV
Technology Si
Type Half-Bridge
Вес, г 0.1

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных