Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
NCV5702DR2G, IGBT Driver, Half Bridge, 4A, 20V Max Supply, 59ns/54ns Delay, SOIC-16
Цена по запросу

NCV5702DR2G, IGBT Driver, Half Bridge, 4A, 20V Max Supply, 59ns/54ns Delay, SOIC-16

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов
Тип входа Non-Inverting
IC Case / Package SOIC
Задержка Выхода 54нс
Задержка по Входу 59нс
Количество Выводов 16вывод(-ов)
Количество Каналов 1канал(-ов)
Конфигурация Привода Полумост
Максимальная Рабочая Температура 125 C
Максимальное Напряжение Питания 20В
Минимальная Рабочая Температура -40 C
Стиль Корпуса Привода SOIC
Тип переключателя питания IGBT
Ток истока
Ток стока
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Brand onsemi
Configuration Inverting
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity 2500
Fall Time 7.9 ns
Manufacturer onsemi
Maximum Operating Temperature +125 C
Maximum Turn-Off Delay Time 75 ns
Maximum Turn-On Delay Time 75 ns
Minimum Operating Temperature -40 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Drivers 1 Driver
Number of Outputs 1 Output
Output Current 4 A
Output Voltage 5 V
Package / Case SOIC-16
Pd - Power Dissipation 900 mW
Product Category Gate Drivers
Product Type Gate Drivers
Product IGBT, MOSFET Gate Drivers
Propagation Delay - Max 75 ns
Qualification AEC-Q101
Rise Time 9.2 ns
Shutdown Shutdown
Subcategory PMIC-Power Management ICs
Supply Voltage - Max 20 V
Supply Voltage - Min 0 V
Technology Si
Type High-Side, Low-Side
Вес, г 3.4

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных