Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

NFAM2065L4BT, Умный модуль питания (IPM), IGBT, 650 В, 20 А, 2.5 кВ, DIP, SPM31

Полупроводники - Дискретные\Умные Модули Питания Fully integrated inverter power module consisting of an independent high side gate driver, LVIC, six IGBT's and a temperature sensor (VTS or thermistor(T)) suitable for driving permanent magnet synchronous (PMSM) motors, brushless DC (BLDC) motors and AC asynchronous motors. The IGBT's are configured in a three-phase bridge with separate emitter connections for the lower legs for maximum flexibility in the choice of control algorithm. The power stage has undevoltage lockout protection (UVP). Internal boost diodes are provided for high side gate boost drive. Typical applications include industrial drives, industrial pumps, industrial fans and industrial automation. • Three-phase 650V, 20A IGBT module with independent driver • Active logic interface • Built-in undervoltage protection (UVP) • Integrated bootstrap diodes and resistors • Separate low side IGBT emitter connections for individual current sensing of each phase • UL1557 certified (file number E339285) • Isolation rating of 2500Vrms / 1min • Highly integrated module with optimized components • High efficient and high robust product • High reliability, minimize system size

Линейка Продукции	SPM31 Series
Напряжение Изоляции	2.5кВ
Номинальное Напряжение (Vces / Vdss)	650В
Серия Интеллектуального Модуля Питания (IPM)	SPM31
Стиль Корпуса Интеллектуального Модуля Питания	DIP
Ток (Ic / Id)	20А
Управляющее Устройство Умного Модуля Питания	IGBT
Pd - рассеивание мощности	96 W
Вид монтажа	Through Hole
Выходной ток	2 mA
Категория продукта	Драйверы для управления затвором
Количество выходов	6 Output
Количество драйверов	6 Driver
Конфигурация	Inverting
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное время задержки включения	2 us
Максимальное время задержки выключения	2.1 us
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение питания - макс.	400 V
Напряжение питания - мин.	300 V
Подкатегория	PMIC - Power Management ICs
Продукт	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Размер фабричной упаковки	90
Технология	Si
Тип	High Side
Тип продукта	Gate Drivers
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	DIP-39
Вес, г	2