Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
NJVMJD122T4G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А
Цена по запросу

NJVMJD122T4G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А ON Semiconductor
Тип транзистора NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс 100 В
Ток коллектора Макс. 8 А
Мощность Макс. 1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE 1000
Тип монтажа Поверхностный
Корпус DPAK/TO-252AA
Наименование NJVMJD122T4G
Производитель ON Semiconductor
Описание Eng TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Тип упаковки Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка 2500 шт.