Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
NTJD5121NT1G, Транзистор MOSFET 2N-канала 60В 295мА SOT-363
Цена по запросу

NTJD5121NT1G, Транзистор MOSFET 2N-канала 60В 295мА SOT-363

DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SC-88; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:60V; Drain Source Voltage Vds P Channel:60V; Continuous Drain Current Id N Channel:304mA; Continuous Drain 08R3934
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Dual
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Maximum Continuous Drain Current (A) 0.295
Maximum Diode Forward Voltage (V) 1.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 1600 10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 60
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 2.5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Positive Gate Source Voltage (V) 20
Maximum Power Dissipation (mW) 266
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Operating Junction Temperature (°C) -55 to 150
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 6
Pin Count 6
PPAP No
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name SC
Supplier Package SC-88
Typical Fall Time (ns) 32
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 0.9 4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 26 20V
Typical Rise Time (ns) 34
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 34
Typical Turn-On Delay Time (ns) 22
Вес, г 0.1

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных