Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

NTMFS5C670NLT1G, Транзистор [SO-8 FL]

МОП-транзисторы среднего напряжения с каналом N-канала Trench6 onsemi МОП-транзисторы среднего напряжения с каналом N-канала Trench6 представляют собой полевые МОП-транзисторы на 30, 40 и 60 В, произведенные с использованием передового процесса Power Trench, включающего технологию экранированного затвора. Этот процесс был оптимизирован, чтобы минимизировать сопротивление в открытом состоянии и при этом сохранить превосходные характеристики переключения с лучшими в своем классе диодами с мягким корпусом.

Brand	onsemi
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity	1500
Fall Time	4 ns
Forward Transconductance - Min	82 S
Id - Continuous Drain Current	71 A
Manufacturer	onsemi
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package/Case	SO-8FL-4
Pd - Power Dissipation	61 W
Product Category	MOSFET
Product Type	MOSFET
Qg - Gate Charge	20 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	8.8 mOhms
Rise Time	60 ns
Subcategory	MOSFETs
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-channel
Typical Turn-Off Delay Time	15 ns
Typical Turn-On Delay Time	11 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V
Вес, г	1