Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
NXH40B120MNQ0SNG IGBT Module Q0PACK - Case 180AJ (Pb-Free and Halide-Free Solder Pins)
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe ON Semiconductor 3 Channel Boost Q1 Power Module is a power module containing a dual boost stage.
Maximum Power Dissipation | 118 W |
Number of Transistors | 2 |
Channel Type | Dual N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.04Ом |
Power Dissipation | 118Вт |
Количество Выводов | 22вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | DualPack |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 38А |
Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
Рассеиваемая Мощность | 118Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.04Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |