Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

NXH450B100H4Q2F2PG IGBT Module, 101 A 1000 V Q2BOOST - Case 180BG (Pb-Free and Halide-Free Press Fit Pins)

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs NXH450B100H4Q2F2PG IGBT Module, 101 A 1000 V Q2BOOST - Case 180BG (Pb-Free and Halide-Free Press Fit Pins) The ON Semiconductor Q2BOOST Module is a Si or SiC Hybrid three channel symmetric boost module. Each channel contains two 1000 V, 150 A IGBTs, two 1200 V, 30 A SiC diodes and two 1600 V, 30 A bypass diodes.

Maximum Collector Emitter Voltage	1000 V
Maximum Continuous Collector Current	101 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	79 W
Number of Transistors	2
Collector Emitter Saturation Voltage	1.7В
Collector Emitter Voltage Max	1кВ
Continuous Collector Current	101А
DC Ток Коллектора	101А
Power Dissipation	234Вт
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	Dual
Линейка Продукции	PW Series
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Максимальная Температура Перехода Tj	175°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.7В
Рассеиваемая Мощность	234Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT(Trench/Field Stop)