Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Onsemi N channel power trench MOSFET, 80 V, 270 A, D2PAK-7L, FDB0190N807L

Semiconductors\Power Semiconductors\MOSFETs N-Channel MOSFET, FDB0190N807L, ON Semiconductor Features * Max RDSon = 1,7 mOhm @ VHGS= 10V, ID= 34A * Fast Switching; Low Gate Charge, * High Power and Current Handling Capability

Assembly	SMD
drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=10V	1.7 mΩ
Enclosure	D2PAK-7L
Gate Charge Qg @10V (nC)	1.78x10 C
Max. current	270 A
max. operating temperature	175 °C
max. Voltage	80 V
min. operating temperature	-55 °C
Power loss	250 W
Version	N channel
Continuous Drain Current (Id)	270A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	1.7mΩ@10V, 34A
Drain Source Voltage (Vdss)	80V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	4V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	19.11nF@40V
Operating Temperature	-55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)	3.8W;250W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	249nC@10V
Type	N Channel
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0013Ом
Power Dissipation	250Вт
Количество Выводов	7вывод(-ов)
Линейка Продукции	PowerTrench
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	80В
Непрерывный Ток Стока	270А
Пороговое Напряжение Vgs	2.9В
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный