Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
PBHV8560ZX
Semiconductors\Discrete SemiconductorsБиполярные транзисторы - BJT 600V, .05A NPN High- Voltage Transistor
Pd - рассеивание мощности | 650 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | 934068592115 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 600 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 50 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SOT-223-3 |
Base Product Number | PBHV8560 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 10V |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Power - Max | 650mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 5mA, 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Brand | Nexperia |
Collector- Base Voltage VCBO | 600 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 50 mV |
Configuration | Single |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 70 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Manufacturer | Nexperia |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 650 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Qualification | AEC-Q101 |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 500мА |
DC Current Gain hFE Min | 70hFE |
DC Усиление Тока hFE | 70hFE |
Power Dissipation | 650мВт |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | - |
RoHS | Details |