Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

PBSS8110Z,135, Bipolar Transistors - BJT PBSS8110Z/SOT223/SC-73

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

PBSS8110Z,135, Bipolar Transistors - BJT PBSS8110Z/SOT223/SC-73

Semiconductors\Discrete SemiconductorsБиполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-13

Pd - рассеивание мощности	1400 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.7 mm
Длина	6.7 mm
Другие названия товара №	/T3 PBSS8110Z
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	4000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-223-4
Ширина	3.7 mm
кол-во в упаковке	1
Maximum Collector Base Voltage	120 V
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum DC Collector Current	1 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	100 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.4 W
Minimum DC Current Gain	150
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-223(SC-73)
Pin Count	4
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Collector Current (Ic)	1A
Collector Cut-Off Current (Icbo)	100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	100V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	200mV@1A, 100mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	150@250mA, 10V
Power Dissipation (Pd)	1.4W
Transition Frequency (fT)	100MHz