Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
PDTB123YT,215, Bipolar Transistors - Pre-Biased BIPOLAR TRANSISTORS
Semiconductors\Discrete SemiconductorsБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRANS RET TAPE-7
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3 mm |
| Другие названия товара № | 934058983215 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.219 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Base Product Number | PDTB123 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power - Max | 250mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 500mA |
| Pd - Power Dissipation | 250mW |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Input Resistor | 2.2 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 0.22 |
| Transistor Polarity | PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
