Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
PHPT60603NYX, Bipolar Transistors - BJT PHPT60603NY/SOT669/LFPAK
Semiconductors\Discrete SemiconductorsБиполярные транзисторы - BJT NPN High Power BipolarTransistor
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | 934067878115 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 70 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1500 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | LFPAK56-5 |
| Base Product Number | PHPT60603 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 140MHz |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Power - Max | 1.25W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 270mV @ 300mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 7 V |
| Maximum Operating Frequency | 140 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | LFPAK56, SOT669 |
| Pin Count | 4+Tab |
| Transistor Configuration | Single |
| Collector Current (Ic) | 3A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 180mV@3A, 300mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@2A, 2V |
| Power Dissipation (Pd) | 1.25W |
| Transition Frequency (fT) | 140MHz |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
