Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

PMPB27EPAX

Semiconductors\Discrete Semiconductors Автомобильные МОП-транзисторы с малым сигналом Автомобильные МОП-транзисторы с малым сигналом Nexperia обеспечивают надежность и полную совместимость с AEC-Q101. Nexperia предлагает широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов с малым сигналом, с сопротивлением сток-исток в открытом состоянии до 15 мОм, максимальным током стока до 6 А и вариантами напряжения сток-исток от 20 В до 100 В. Эти устройства предлагаются в широком диапазоне типов корпусов для гибкости конструкции, с опциями DFN (Dual Flat No-Lead) с выводами и без выводов.

Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	0.024Ом
Power Dissipation	12.5Вт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	6.1А
Полярность Транзистора	P Канал
Пороговое Напряжение Vgs	1.5В
Рассеиваемая Мощность	12.5Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.024Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-1220
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Brand	Nexperia
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity	3000
Fall Time	19 ns
Forward Transconductance - Min	26 S
Id - Continuous Drain Current	6.1 A
Manufacturer	Nexperia
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	DFN-2020MD-6
Packaging	Reel
Part # Aliases	934070932115
Pd - Power Dissipation	12.5 W
Product Category	MOSFET
Product Type	MOSFET
Qg - Gate Charge	45 nC
Qualification	AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance	29 mOhms
Rise Time	31 ns
Subcategory	MOSFETs
Technology	Si
Transistor Polarity	P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	28 ns
Typical Turn-On Delay Time	10 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V