Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

PMPB85ENEAX

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор 60V single N-channel Trench МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	4.4 A
Pd - рассеивание мощности	3.3 W
Qg - заряд затвора	9.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	72 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	3.5 ns
Время спада	4.5 ns
Другие названия товара №	934067478115
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Квалификация	AEC-Q101
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	11.5 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	10.5 ns
Типичное время задержки при включении	4 ns
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	DFN-2020-6
Base Product Number	PMPB85 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.2nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	305pF @ 30V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	6-UDFN Exposed Pad
Power Dissipation (Max)	1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95mOhm @ 3A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	DFN2020MD-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.7V @ 250ВµA