Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

PMPB95ENEAX, MOSFET PMPB95ENEA/ SOT1220/SOT1220

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

PMPB95ENEAX, MOSFET PMPB95ENEA/ SOT1220/SOT1220

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор 80V single N-channel Trench МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	4.1 A
Pd - рассеивание мощности	3.3 W
Qg - заряд затвора	14.9 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	80 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	80 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	4 ns
Время спада	7 ns
Другие названия товара №	934067476115
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Квалификация	AEC-Q101
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	13.3 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	15 ns
Типичное время задержки при включении	5 ns
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	DFN-2020-6
Automotive Standard	AEC-Q101
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	4.1 A
Maximum Drain Source Resistance	202 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	80 V
Maximum Gate Source Voltage	20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.7V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	15.6 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1.3V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DFN2020
Pin Count	8
Transistor Configuration	Single
Typical Gate Charge @ Vgs	9.9 nC @ 4 V
Width	2.1mm