Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
PMV30ENEAR, PMV30ENEA/SOT23/TO-236AB
Semiconductors\Discrete Semiconductors40V 4.8A 30mΩ@4.8A,10V 2.5V@250uA null SOT-23 MOSFETs ROHS
| Continuous Drain Current (Id) | 4.8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@4.8A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 440pF@20V |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 710mW;8.3W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 11.7nC@10V |
| Type | null |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.023Ом |
| Power Dissipation | 8.3Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 4.8А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-236AB |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
