Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

PMV65XP,215, MOSFET 20V P-CHANNEL TRENCHMOS

Semiconductors\Discrete Semiconductors The PMV65XP, 215 is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a Surface Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low Threshold Voltage • Low On-state Resistance

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	2.8A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	480mW
Rds On - Drain-Source Resistance	74mО© @ 2.8A,4.5V
Transistor Polarity	P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20V
Vgs - Gate-Source Voltage	900mV @ 250uA
Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	0.058Ом
Power Dissipation	833мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	4.5В
Напряжение Истока-стока Vds	20В
Непрерывный Ток Стока	4.3А
Полярность Транзистора	P Канал
Пороговое Напряжение Vgs	650мВ
Рассеиваемая Мощность	833мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.058Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-236AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
кол-во в упаковке	3000
Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current	3.9 A
Maximum Drain Source Resistance	76 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Maximum Gate Source Voltage	-12 V, +12 V
Maximum Gate Threshold Voltage	0.9V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.92 W
Minimum Gate Threshold Voltage	0.47V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	7.6 nC @ 4.5 V
Width	1.4mm
Вес брутто	0.04
Транспортная упаковка: размер/кол-во	584845/9000