Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

PMV75UP,215

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор 20V P-channel Trench МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	3.2 A
Pd - рассеивание мощности	1 W
Qg - заряд затвора	5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	77 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V, + 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	900 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	14 ns
Время спада	50 ns
Другие названия товара №	934066296215
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	15 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	120 ns
Типичное время задержки при включении	6 ns
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Brand	Nexperia
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	3000
Fall Time	50 ns
Forward Transconductance - Min	15 S
Id - Continuous Drain Current	3.2 A
Manufacturer	Nexperia
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number Of Channels	1 Channel
Package / Case	SOT-23-3
Packaging	Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation	1 W
Product Category	MOSFET
Product Type	MOSFET
Qg - Gate Charge	5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	77 mOhms
Rise Time	14 ns
Subcategory	MOSFETs
Technology	Si
Transistor Polarity	P-Channel
Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	120 ns
Typical Turn-On Delay Time	6 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Vgs - Gate-Source Voltage	12 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage	900 mV