Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
PSMN4R8-100BSEJ, PSMN4R8-100BSE/ SOT404/D2PAK
Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 120А, 405Вт, D2PAK Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
MOSFET
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
| Brand | Nexperia |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity | 800 |
| Fall Time | 69 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 120 A |
| Manufacturer | Nexperia |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | D2PAK-3 |
| Part # Aliases | 934067369118 |
| Pd - Power Dissipation | 405 W |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 196 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.8 mOhms |
| Rise Time | 65 ns |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 127 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 41 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
