Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
PT480FE0000F, Phototransistor IR Chip 860nm 2-Pin
Semiconductor - Discrete > Opto Discrete - LED > Phototransistor Описание Фототранзистор, Разм: 3x4x2,95мм, -p макс: 860нм, 35В, 35°
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | Side Looking |
| Типичное Значение Длины Волны | 860нм |
| Энергопотребление | 75мВт |
| Angle of Half Sensitivity | 26 ° |
| Collector Current | 20mA |
| Maximum Dark Current | 100nA |
| Maximum Light Current | 3000µA |
| Maximum Wavelength Detected | 860nm |
| Minimum Wavelength Detected | 860nm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Channels | 1 |
| Number of Pins | 2 |
| Polarity | NPN |
| Spectral Range of Sensitivity | Maximum of 860 nm |
| Spectrums Detected | Infrared |
| Typical Fall Time | 3.5µs |
| Typical Rise Time | 3µs |
| Width | 2.95mm |
| Package Type | Side Looker |
| Collector-emitter voltage | 35V |
| Dark current | 1nA |
| Dimensions | 3x4x2.95mm |
| LED lens | transparent |
| LED version | angular |
| Manufacturer | SHARP |
| Mounting | THT |
| Type of photoelement | phototransistor |
| Viewing angle | 35° |
| Wavelength of peak sensitivity | 860nm |
| Вес, г | 0.15 |
