Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
PUMD16,115, Bipolar Transistors - Pre-Biased PUMD16/SOT363/SC-88
Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: NPN / PNP, биполярный, BRT, дополнительная пара, 50В
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Другие названия товара № | PUMD16 T/R |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 22 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.476 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SC-88-6 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@10mA, 0.5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@5mA, 5V |
| Input Resistor | 22kΩ |
| Input Voltage (VI(off)@Ic,Vce) | 800mV@100uA, 5V |
| Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce) | 1.1V@2mA, 0.3V |
| Operating Temperature | - |
| Output Voltage (VO(on)@Io/Ii) | - |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Resistor Ratio | 2.1 |
| Transistor Type | 1 NPN-Pre-Biased, 1 PNP-Pre-Biased |
| Transition Frequency (fT) | - |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
