Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

PUMX1,115, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTORS

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: NPN x2, биполярный, 40В, 0,1А, 300мВт, SOT363 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN
Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	2.2 mm
Другие названия товара №	PUMX1 T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	120 at 1 mA at 6 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-363-6
Ширина	1.35 mm
Collector Current (Ic)	100mA
Collector Cut-Off Current (Icbo)	100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	40V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	200mV@50mA, 5mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	120@1mA, 6V
Operating Temperature	-
Power Dissipation (Pd)	300mW
Transistor Type	2 NPN
Transition Frequency (fT)	100MHz