Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
PXT2907A,115, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTORS
Semiconductors\Discrete SemiconductorsБиполярные транзисторы - BJT TRANS SW TAPE-7
Pd - рассеивание мощности | 1100 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.6 mm |
Длина | 4.6 mm |
Другие названия товара № | 933821830115 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Ширина | 2.6 mm |
Base Product Number | PXT2907 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 200MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-243AA |
Power - Max | 1.1W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
Supplier Device Package | SOT-89 |
Transistor Type | PNP |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Maximum Collector Base Voltage | -60 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V |
Maximum DC Collector Current | -600 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.1 W |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-89 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |