Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

QS5K2TR, N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5

Id - непрерывный ток утечки	2 A
Pd - рассеивание мощности	1.25 W
Qg - заряд затвора	2.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	100 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V, + 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	500 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10 ns
Время спада	8 ns
Высота	0.85 mm
Длина	2.9 mm
Другие названия товара №	QS5K2
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	QS5K2
Технология	Si
Тип	MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	2 N-Channel MOSFET
Типичное время задержки выключения	21 ns
Типичное время задержки при включении	8 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-25T-5
Ширина	1.6 mm
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	2 A
Maximum Drain Source Resistance	100 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	-12 V, +12 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.25 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	TSMT-5
Pin Count	5
Transistor Configuration	Common Source
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	2.8 nC @ 4.5 V
Width	1.6mm