Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

RQ3L050GNTB, Транзистор

MOSFET, N-CH, 60V, 12A, HSMT-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.061ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Powe

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора	HSMT
Рассеиваемая Мощность	14.8Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	12А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.061Ом
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Пороговое Напряжение Vgs	2.5В
Transistor Mounting	Surface Mount
Вес, г	5.577