Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

RQ5A030APTL

Semiconductors\Discrete SemiconductorsSilicon Power MOSFETs ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	0.044Ом
Power Dissipation	1Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	4.5В
Напряжение Истока-стока Vds	12В
Непрерывный Ток Стока	3А
Полярность Транзистора	P Канал
Пороговое Напряжение Vgs	1В
Рассеиваемая Мощность	1Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.044Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-346T
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Brand	ROHM Semiconductor
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity	3000
Fall Time	60 ns
Forward Transconductance - Min	3.5 S
Id - Continuous Drain Current	3 A
Manufacturer	ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	SOT-346-3
Part # Aliases	RQ5A030AP
Pd - Power Dissipation	1 W
Product Category	MOSFET
Product Type	MOSFET
Product	MOSFET
Qg - Gate Charge	16 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	180 mOhms
Rise Time	40 ns
Subcategory	MOSFETs
Technology	Si
Transistor Polarity	P-Channel
Transistor Type	1 P-Channel
Type	Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	160 ns
Typical Turn-On Delay Time	11 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	12 V
Vgs - Gate-Source Voltage	-8 V, +8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	300 mV