Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

RQ6E035TNTR

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор 30V N-CHANNEL 3.5A

Id - непрерывный ток утечки	3.5 A
Pd - рассеивание мощности	1.25 W
Qg - заряд затвора	4.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	54 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V, + 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	500 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	12 ns
Время спада	13 ns
Другие названия товара №	RQ6E035TN
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	29 ns
Типичное время задержки при включении	8 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	SOT-457-6
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.038Ом
Power Dissipation	1.25Вт
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	4.5В
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	3.5А
Пороговое Напряжение Vgs	1.5В
Рассеиваемая Мощность	1.25Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.038Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-457T
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный