Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

RS1G260MNTB, 4.5V Drive Nch MOSFET

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	80 A
Pd - рассеивание мощности	35 W
Qg - заряд затвора	44 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	15.2 ns
Время спада	11.8 ns
Другие названия товара №	RS1G260MN
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	80 ns
Типичное время задержки при включении	25.1 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	HSOP-8