Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
RSR030N06TL, Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 60V, 3A
Semiconductors\Discrete Semiconductors Решения для электронных транспортных средств
Решения ROHM для полупроводниковых электронных транспортных средств (электромобилей) разработаны для повышения эффективности и производительности современных электронных транспортных средств. ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различных решений, с акцентом на специальные блоки электромобилей, такие как главный инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, бортовое зарядное устройство и электрический компрессор.
Brand | ROHM Semiconductor |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 10 ns |
Id - Continuous Drain Current | 3 A |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | SOT-346T-3 |
Part # Aliases | RSR030N06 |
Pd - Power Dissipation | 1 W |
Product Category | MOSFET |
Product Type | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 5 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 85 mOhms |
Rise Time | 12 ns |
Series | RSR030N06 |
Subcategory | MOSFETs |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 30 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |