Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
RUF015N02TL, Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, 20V, 1.5A
Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор Med Pwr, Sw МОП-транзистор P Chan, 20V, 1.5A
| Id - непрерывный ток утечки | 1.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| Qg - заряд затвора | 1.8 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 180 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 5 ns |
| Время спада | 3 ns |
| Высота | 0.77 mm |
| Длина | 2 mm |
| Другие названия товара № | RUF015N02 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | RUF015N02 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Ширина | 1.7 mm |
| Base Product Number | RUF015 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Lead |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | TUMT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 310 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 800 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TUMT3 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.8 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.7mm |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
