Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
RV2C010UNT2L, 20V 1A Nch Power MOSFET
Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор 20V 1A Nch Power МОП-транзистор
| Id - непрерывный ток утечки | 1 A |
| Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 470 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 15 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Другие названия товара № | RV2C010UN |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Серия | RV2C010UN |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | DFN-1006-3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 1 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.05 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 400 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DFN |
| Pin Count | 3 |
| Series | RV2C010UN |
| Transistor Configuration | Single |
| Width | 1.05mm |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
